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1 金剛石線(xiàn)切割
20世紀90年代，國際上為了解決大尺寸硅片的加工問(wèn)題，采用了線(xiàn)鋸加工技術(shù)將硅棒切割成片。早期的線(xiàn)鋸加工技術(shù)是采用裸露的金屬線(xiàn)和游離的磨料，在加工過(guò)程中，將磨料以第三者加入到金屬線(xiàn)和加工件之間產(chǎn)生切削作用[1]。這種技術(shù)被成功地用于對硅和碳化硅的加工。為了進(jìn)一步縮短加工時(shí)間，以及對其它堅硬物質(zhì)和難以加工的陶瓷進(jìn)行加工，人們將金剛石磨料以一定的方式固定到金屬線(xiàn)上，從而產(chǎn)生了固定金剛石線(xiàn)鋸。
3.1金剛石線(xiàn)切割的原理
圖3.1金剛石線(xiàn)切割原理圖
如圖3.1高速往復運動(dòng)的切割線(xiàn)帶動(dòng)砂漿到切割區，使砂漿中的研磨顆粒(SiC顆粒)與硅棒表面高速磨削，由于研磨顆粒有非常銳利的棱角，并且硬度遠大于硅棒的硬度，所以硅棒與線(xiàn)鋸接觸的區域逐漸被砂漿磨削掉，進(jìn)而達到切割的效果，同時(shí)砂漿也可以帶走磨削中產(chǎn)生的大量熱[2]。
在對金剛石線(xiàn)鋸切割機理的認識過(guò)程中，許多研究者認為，金剛石磨粒的微觀(guān)切削運動(dòng)是一個(gè)滾動(dòng)、嵌入過(guò)程，提出了“滾動(dòng) -嵌入”模型。Li 等人提出鋸絲施加在磨粒上的力帶動(dòng)磨粒沿切削表面滾動(dòng)，同時(shí)壓擠磨粒嵌入切削表面，從而形成剝落片屑和表面裂縫，形成宏觀(guān)的切割作用。重點(diǎn)研究了磨粒嵌入工件時(shí)的應力分布和作用， 發(fā)現磨粒對材料的最大剪切應力發(fā)生在微觀(guān)切削表面之下，據此對磨料的選擇進(jìn)行優(yōu)化。Kao 等人指出在 “滾動(dòng) - 嵌入” 模型中，磨粒的運動(dòng)除滾動(dòng)和嵌入外，還包括刮擦， 三者共同形成切削作用。Bhagavat等人則在這個(gè)模型中考慮了磨漿的作用并認為，在鋸絲帶動(dòng)游離磨料切割硅錠的小區域內，鋸絲與磨漿的運動(dòng)構成了一個(gè)彈性流體動(dòng)力學(xué)環(huán)境，用有限元方法分析鋸絲與硅錠間的磨漿彈性流體動(dòng)力學(xué)模型，得到磨漿薄膜厚度和壓力分布關(guān)于走絲速度、磨漿粘度和切割條件的函數， 還得出結論：磨漿薄膜厚度大于平均磨粒尺寸，是磨粒的流動(dòng)產(chǎn)生了切削[3]。
3.2 金剛石線(xiàn)切割的導線(xiàn)輪
根據切割材料直徑不同和設備制造廠(chǎng)家的技術(shù)考慮導線(xiàn)輪有2輪、3輪、4輪不等，安裝方法有2輪平行、等邊三角形或梯形，如圖3.2所示。
圖3.2導線(xiàn)輪安裝形式
導線(xiàn)輪是控制片厚的關(guān)鍵部件，導線(xiàn)輪是用高分子材料制作的精密滾輪，在其表而刻有等同于線(xiàn)寬、深的螺旋槽，切割時(shí)將線(xiàn)繞在導線(xiàn)輪上。要求其材料耐磨性要好、剛度要高，在切割張緊時(shí)不能變形：片厚的控制取決于槽間寬度，槽間寬度誤差應小于5um，所以對材質(zhì)要求和加工精度都非常高[4]。
3.3 金剛石線(xiàn)切割的特點(diǎn)[5]
a) 可加工非導電材料 而傳統的放電加工則不能
b) 可進(jìn)行多線(xiàn)切割
c) 刀縫損失小 這對加工成本高的半導體和貴重材料非常重要。用直徑350 m 的金剛石線(xiàn)切SiC單晶時(shí)刀縫才為0 .3048 mm
d) 可自由改變切割位向
3.4 金剛石線(xiàn)切割的應用
20世紀90年代，國際上為了解決大尺寸硅片的加工問(wèn)題，采用了線(xiàn)鋸加工技術(shù)將硅棒切割成片，這種技術(shù)被成功地用于對硅和碳化硅的加工。
目前，采用金剛石工具切割花崗石是石材加工常用的方法之一
目前在光電子工業(yè)中使用最為廣泛的是往復式多線(xiàn)鋸
金剛石線(xiàn)切割被廣泛的用在大尺寸半導體和光電池薄片切割
參考文獻
[1]Ito S，Murata R Study on machining characteristics of dia—mond abrasive wire EJ]．J Mechanical Engineering Lab，1987，41(5)：236
[2]馮濤，李保軍，馬玉通.鍺單晶切割工藝研究[J].電子工業(yè)專(zhuān)用設備,2009,175.
[3]周銳，李劍峰等.金剛石線(xiàn)鋸的研究現狀與進(jìn)展[J].現代制造工程，2004，（6）：112-115.
[4]楊樹(shù)人，王宗昌.半導體材料[M].北京：科學(xué)出版社，2003,56-59.
